1.Ինչու՞ պետք է տրանսֆորմատորի միջուկը հիմնավորված լինի:
Երբ տրանսֆորմատորը գործում է, երկաթե միջուկը, ֆիքսված երկաթե միջուկը և ոլորուն մետաղական կառուցվածքը, մասերը, բաղադրիչները և այլն բոլորը ամուր էլեկտրական դաշտում են: Էլեկտրական դաշտի ազդեցության տակ նրանք ունեն ավելի բարձր գրունտային ներուժ: Եթե երկաթե միջուկը հիմնավորված չէ, ապա դրա և հիմնավորված սեղմակի և վառելիքի բաքի միջև հնարավոր տարբերություն կլինի: Պոտենցիալ տարբերության ազդեցության տակ կարող է առաջանալ ընդհատվող արտահոսք:
Բացի այդ, երբ տրանսֆորմատորը գործում է, ոլորուն շուրջ կա ուժեղ մագնիսական դաշտ: Երկաթե միջուկը, մետաղական կառուցվածքը, մասերը, բաղադրիչները և այլն բոլորը գտնվում են ոչ միատեսակ մագնիսական դաշտում: Նրանց և ոլորուն միջև հեռավորությունը հավասար չէ: Հետևաբար, յուրաքանչյուրը Մետաղական կառուցվածքների, մասերի, բաղադրիչների և այլնի մագնիսական դաշտից առաջացած էլեկտրաշարժիչ ուժի մեծությունը նույնպես հավասար չեն, և կան նաև միմյանց միջև պոտենցիալ տարբերություններ: Չնայած պոտենցիալ տարբերությունը մեծ չէ, այն կարող է նաև կոտրել մեկուսացման փոքր բացը, ինչը կարող է նաև առաջացնել շարունակական միկրոբեռնաթափում:
Անկախ նրանից, թե դա ընդհատվող արտանետման երևույթ է, որը կարող է առաջանալ պոտենցիալ տարբերության հետևանքով, թե շարունակական միկրոարտանետման երևույթով, որը առաջացել է փոքր մեկուսիչ բացվածքի խզման պատճառով, չի թույլատրվում, և մասերը ստուգելը շատ դժվար է: այս ընդհատվող արտանետումներից: ի.
Արդյունավետ լուծումն այն է, որ երկաթե միջուկը, ամրացված երկաթե միջուկը և ոլորուն մետաղական կոնստրուկցիաները, մասերը, բաղադրիչները և այլն հուսալիորեն հիմնավորվեն, որպեսզի դրանք ունենան նույն պոտենցիալը, ինչ վառելիքի բաքը: Տրանսֆորմատորի միջուկը հիմնավորված է մի կետում, և այն կարող է հիմնավորված լինել միայն մեկ կետում: Քանի որ երկաթե միջուկի սիլիցիումային պողպատե թերթերը մեկուսացված են միմյանցից, դա կանխելու է մեծ պտտվող հոսանքների առաջացումը: Հետեւաբար, բոլոր սիլիցիումային պողպատե թերթերը չպետք է հիմնավորված կամ հիմնավորված լինեն մի քանի կետերում: Հակառակ դեպքում մեծ պտտվող հոսանքներ կառաջանան: Միջուկը խիստ տաք է:
Տրանսֆորմատորի երկաթե միջուկը հիմնավորված է, սովորաբար երկաթե միջուկի սիլիցիումային պողպատի ցանկացած կտոր հիմնավորված է: Չնայած սիլիցիումային պողպատի թերթերը մեկուսացված են, դրանց մեկուսացման դիմադրության արժեքները շատ փոքր են: Անհավասար ուժեղ էլեկտրական դաշտը և ուժեղ մագնիսական դաշտը կարող են ստիպել սիլիցիումային պողպատի թիթեղներում առաջացած բարձրավոլտ լիցքերին հոսել գետնից գետնին սիլիկոնային պողպատե թիթեղների միջոցով, բայց դրանք կարող են կանխել պտտվող հոսանքները: Հոսք մի կտորից մյուսը: Հետևաբար, քանի դեռ երկաթե միջուկի սիլիցիումային պողպատից ցանկացած կտոր հիմնավորված է, այն համարժեք է ամբողջ երկաթե միջուկը հիմնավորելուն:
Պետք է նշել, որ տրանսֆորմատորի երկաթե միջուկը պետք է հիմնավորված լինի ոչ թե երկու կետերում, այլ մի քանի կետերում, քանի որ բազմակողմանի հիմնավորումը տրանսֆորմատորի ընդհանուր սխալներից մեկն է:
2. Ինչու՞ չի կարող տրանսֆորմատորի միջուկը հիմնավորված լինել բազմաթիվ կետերում:
Պատճառը, թե ինչու տրանսֆորմատորի միջուկի լամինացիաները կարող են հիմնավորված լինել միայն մեկ կետում, այն է, որ եթե կան երկուից ավելի հիմնավորման կետեր, հիմնավորման կետերի միջև կարող է հանգույց ձևավորվել: Երբ հիմնական ուղին անցնում է այս փակ հանգույցով, դրանում շրջանառվող հոսանք կստեղծվի ՝ ներքին գերտաքացման պատճառով վթարի պատճառ դառնալով: Հալած տեղական երկաթի միջուկը կարճ միացման խզվածք կստեղծի երկաթե չիպերի միջև, ինչը կբարձրացնի երկաթի կորուստը, ինչը լրջորեն կազդի տրանսֆորմատորի աշխատանքի և բնականոն աշխատանքի վրա: Միայն երկաթե միջուկի սիլիցիումային պողպատե թերթիկը կարող է փոխարինվել վերանորոգման համար: Հետեւաբար, տրանսֆորմատորին թույլ չեն տալիս մի քանի կետերում հիմնավորել: Կա մեկ և միայն մեկ հիմք:
3. Բազմակողմանի հիմնավորումը հեշտ է շրջանառվող հոսանք ձևավորել և հեշտ արտադրել ջերմություն:
Տրանսֆորմատորի շահագործման ընթացքում մետաղական մասերը, ինչպիսիք են երկաթի միջուկը և սեղմակները, բոլորը գտնվում են ուժեղ էլեկտրական դաշտում, քանի որ էլեկտրաստատիկ ինդուկցիան լողացող ներուժ կստեղծի երկաթե միջուկի և մետաղական մասերի վրա, և այդ ներուժը կթափվի գետնին, ինչը, իհարկե, ընդունելի չէ: Հետևաբար, երկաթե միջուկը և դրա ամրակները պետք է հիմնավորված և ճիշտ հուսալի լինեն (բացառությամբ միայն միջուկի պտուտակների): Երկաթե միջուկը թույլատրվում է միայն մեկ վայրում հիմնավորել: Եթե երկու կամ ավելի կետեր հիմնավորված են, երկաթե միջուկը կստեղծի փակ հանգույց `հիմնավորման կետով և գետնով: Երբ տրանսֆորմատորն աշխատում է, մագնիսական հոսքը կանցնի այս փակ օղակի միջով, որը կստեղծի այսպես կոչված շրջանառվող հոսանք ՝ առաջացնելով երկաթի միջուկի տեղային գերտաքացում և նույնիսկ այրվող մետաղական մասերի և մեկուսիչ շերտերի այրումը:
Ամփոփելով ՝ տրանսֆորմատորի երկաթե միջուկը կարող է հիմնավորված լինել միայն մեկ կետում և չի կարող հիմնավորվել երկու կամ ավելի կետերում:
Տեղադրման ժամանակը ՝ հուլիս-09-2021